聚廣恒光纖激光打標機在LED行業(yè)的應(yīng)用

隨著LED產(chǎn)量的增加，LED制造商正在尋找可以優(yōu)化劃片寬度、劃片速度與加工產(chǎn)量的新工藝進展。新型LED光纖激光打標機剝離（LLO）和聚廣恒光纖激光打標機晶圓劃片設(shè)備給LED制造商提供了性價比的工業(yè)工具，可以滿日益增長的市場需求。



高亮度垂直結(jié)構(gòu)LED 通常情況下，藍光/綠光LED是由幾微米厚的氮化鎵（GaN）薄膜在藍寶石襯底上外延生長形成的。 一些LED的制造成本主要取決于藍寶石襯底本身的成本和劃片-裂片加工成本。對于傳統(tǒng)的LED倒裝橫向結(jié)構(gòu)，藍寶石是不會被剝離的，因此，陰和陽都在同一側(cè)的氮化鎵外延層（epi）。 這種橫向結(jié)構(gòu)對于高亮度LED有幾個缺點：材料內(nèi)電流密度大、電流擁擠、可靠性較差、壽命較短；此外，通過藍寶石的光損很大。



設(shè)計人員通過聚廣恒光纖激光打標機剝離（LLO）工藝可以實現(xiàn)垂直結(jié)構(gòu)的LED，它克服了傳統(tǒng)的橫向結(jié)構(gòu)的多種缺陷。垂直結(jié)構(gòu)LED可以提供大的電流，消除電流擁擠問題以及器件內(nèi)的瓶頸問題，顯著提LED的大輸出光功率與大效率。
 
垂直LED結(jié)構(gòu)要求在加電之前剝離掉藍寶石。準分子聚廣恒光纖激光打標機器已被證明是分離藍寶石與氮化鎵薄膜的有效工具。LED聚廣恒光纖激光打標機剝離技術(shù)大大減少了LED加工時間，降了生產(chǎn)成本，使制造商在藍寶石晶圓上生長氮化鎵LED薄膜器件，并使薄膜器件與熱沉進行電互連。這個工藝使得氮化鎵薄膜可以獨立于支撐物，并且氮化鎵LED可以集成到基板上。

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